[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

△ [15p-422-10] GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ

〇山下 諒大¹、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体レーザ、DBRレーザ

高分解能リソグラフィを必要としない周期1µm程度で溝深さ1µm以上の高次結合DBRを採用した単一モードレーザが報告されている。高次結合DBRでは低次の回折により放射損失が発生する。本研究ではDBR領域に電流注入することで放射損失による導波光の減衰の補償を試みた。結果、閾値38mA、サイドモード抑圧比31dBの800nm帯GaAsP歪量子井戸10次結合ディープエッチDBRレーザを実現した。