[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[15p-422-11] 広帯域量子ドットゲインチップ及びASEフリーECDL特性

〇吉沢 勝美¹、沢渡 義規¹、福岡 大輔²、室 清文²、赤羽 浩一³、山本 直克³ (1.パイオニアMTC、2.スペクトラ･クエスト･ラボ、3.情報通信研究機構)

キーワード：量子ドット、ゲインチップ、ASEフリーECDL

光情報通信（光ICT）ネットワークでは、光情報通信利用の拡大に伴う光周波数帯域の枯渇が懸念されている。この点から、Tバンド（1.0～1.26μm）とOバンド（ 1.26～1.36μm）の新たな光周波数帯域の利活用が期待されている。我々は、この帯域における新しい光ゲイン材料や光ICTデバイスに関する研究開発を継続し、広帯域光源の開発を報告してきた。今回、InAs量子ドットを用いて1.0μm帯において広帯域ゲインチップ及びそれを用いたASEフリー波長可変光源を開発したのでその特性を報告する。