[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

△ [15p-422-12] ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP薄膜DFBレーザのしきい値電流の温度依存性

〇福田 快¹、井上 大輔¹、平谷 拓生¹、冨安 高弘¹、瓜生 達也¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大科創院)

キーワード：半導体レーザ、薄膜構造、DFBレーザ

オンチップ光配線の実現に向け、極低消費電力動作可能な光源として、我々は半導体薄膜構造による強光閉じ込め効果を用いた薄膜DFBレーザを提案している。
今回、特性温度の向上を目的としてブラッグ波長デチューニングを導入した薄膜DFBレーザを作製し、20°C <T<45°Cにおいて、ほぼ温度無異存のしきい値電流特性を得た。