[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[15p-422-13] 低微分抵抗を有するGaInAsP/InP半導体薄膜DRレーザ

〇中村 なぎさ¹、冨安 高弘¹、平谷 拓生¹、井上 大輔¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大科技創成研究院)

キーワード：半導体薄膜レーザ

オンチップ光配線の実現に向けた光源として、低電圧駆動かつ導波路損失削減を目的とした半導体薄膜DRレーザの作製を行った。従来素子に比べ不純物濃度を低減、電極距離の狭幅化を行ったところしきい値電流0.41 mA、外部微分量子効率12%、微分抵抗260 Ω、を得た。また、スペクトル特性から屈折率結合係数は1800 cm^-1と見積もられた。SMSR比と外部微分効率は従来素子に比べて低いが、狭幅化の影響により低微分抵抗を実現した。