[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[15p-422-14] p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上

〇(B)吉冨 翔一¹、只野 翔太郎¹、山中 健太郎¹、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工電気電子、2.東工大科学技術創成研究院)

キーワード：半導体レーザ