[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[15p-422-3] 面発光レーザ高出力化のための長尺半導体光増幅器

〇許 在旭¹、志村 京亮¹、顧 暁冬¹、中濵 正統¹、松谷 晃宏²、小山 二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

キーワード：面発光レーザ、半導体光増幅器

面発光レーザ(VCSEL)は小型で高ビーム品質といった特徴を有し可搬式レーザ加工機などへの応用の可能性がある．しかしVCSELの単一モード出力は数mW程度にとどまっている．我々は高出力化のためにVCSELとブラッグ反射鏡導波路による半導体光増幅器(SOA)との集積構造を提案した． SOAは長尺化することで更なる高出力化が期待できるが，増幅自然放出光(ASE)によってSOA長が制限される．今回はASEを抑圧するウェハ設計と作製したデバイスについて報告する．