2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月15日(水) 13:45 〜 18:15 503 (503)

岩谷 素顕(名城大)、船戸 充(京大)、寒川 義裕(九大)

13:45 〜 14:00

[15p-503-1] AlN結晶成長の昇華法におけるシード面近傍の物質流束解析

間地 雄大1、中野 智2、柿本 浩一1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

キーワード:輸送シミュレーション、昇華法、AlN結晶成長

本発表では,AlN昇華法におけるAlとN2の輸送シミュレーションを行い,炉内圧力と温度を変化させたときの,物質流束解析の結果を報告する.シード面近傍では,N2の平衡分圧が高く,シードからソースへのN2の逆拡散が起こるので,シード面に向かうNフラックスが減少する.結果として,シード面近傍では,Nに対するAlのフラックスの割合が10倍以上となる.結論として,昇華法では,Alリッチで成長が進行していることが予想される.