[15p-503-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15p-503-11] Dependence of Mask Patterns on threading dislocation density in the Na-Flux Point Seed Technique

〇Yuki Sawada¹, Takumi Yamadaa², Kosuke Murakami², Masatomo Honjo², Masayuki Imanishi², Mamoru Imade², Masashi Yoshimura², Yusuke Mori² (1.Sch of Eng., Osaka Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.)

Keywords:Na-flux method

我々はNaフラックス法を用いたGaN結晶成長において、ポイントシード法と呼ばれる、サフィアマスクを用いたネッキングにより種結晶から伝搬する転位を抑制する手法を考案した。本研究では、マスク内部で転位を終端させるため、転位密度のマスク厚さ及び径依存性を調査した。その結果、マスク厚さを厚くすることにより転位が減少したことから、{10-11}面にも転位が伝播していることが確認され、マスク内部で終端させることに成功した。次にマスク径を絞ることにより骸晶化無く成長させることに成功した。以上の結果を組み合わせることにより、再現性良く低転位のGaN結晶の育成が可能である。