[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-503-11] Naフラックスポイントシード法における転位密度のマスクパターン依存性

〇澤田 友貴¹、山田 拓海²、村上 航介²、本城 正智²、今西 正幸²、今出 完²、吉村 政志²、森 勇介² (1.阪大工、2.阪大院工)

キーワード：Naフラックス法

我々はNaフラックス法を用いたGaN結晶成長において、ポイントシード法と呼ばれる、サフィアマスクを用いたネッキングにより種結晶から伝搬する転位を抑制する手法を考案した。本研究では、マスク内部で転位を終端させるため、転位密度のマスク厚さ及び径依存性を調査した。その結果、マスク厚さを厚くすることにより転位が減少したことから、{10-11}面にも転位が伝播していることが確認され、マスク内部で終端させることに成功した。次にマスク径を絞ることにより骸晶化無く成長させることに成功した。以上の結果を組み合わせることにより、再現性良く低転位のGaN結晶の育成が可能である。