[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-503-14] 二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価

〇谷川 智之¹、大西 一生¹、加納 聖也²、向井 孝志²、松岡 隆志¹ (1.東北大金研、2.日亜化学)

キーワード：窒化物半導体、貫通転位、二光子励起フォトルミネッセンス

本研究では、二光子励起フォトルミネッセンス法を用いてGaN基板中に発生する貫通転位の三次元分布を評価した。HVPE法で成長した膜厚160μmのGaN中の暗点分布を評価すると、暗点密度10⁸ cm⁻²以下の試料において暗点密度を定量評価可能であることが分かった。焦点深さを変えて発光像を取得し三次元像を構築することで、膜厚に応じて転位密度が減少する過程や、転位が屈曲する挙動を観察することができた。