[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-503-15] AlGaN/GaNヘテロ構造における転位観察と歪解析

〇二木 佐知¹、前川 順子¹、青木 正彦¹、山本 雄大²、横川 俊哉² (1.イオンテクノ、2.山口大工)

キーワード：半導体、窒化物、透過電子顕微鏡

AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタは、高耐圧、大電流動作が期待できる。横型デバイスには、高密度の貫通転位が結晶内に存在するが、一般的にはSi基板などが用いられる。以前、我々はこの横型デバイスにおいてもデバイス特性への転位の影響があることを報告した。今回、このデバイスへの転位の実態を結晶学的観点から明らかにするため、AlGaN/GaN のHRTEM像により歪解析を行ったので報告する。