[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-503-16] GaN層中の傾斜した貫通転位芯構造の解析

〇松原 徹^1,2、杉本 浩平¹、河原 慎¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学、2.UBE科学分析センター)

キーワード：窒化ガリウム、貫通転位、転位芯

我々はこれまで貫通転位を断面ならびに平面方向から走査型透過電子顕微鏡（STEM）観察し、転位芯の原子配置を評価し、HVPEによる厚膜成長したサンプルでは、a-typeの転位芯が余分な変位を有することを明らかにした。この変位は貫通転位の傾斜との関連が予想された。本研究ではMOVPEおよびHVPEにより成長したGaN層中の貫通転位の傾斜と転位芯構造の関係をSTEMにより調査した。