[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-503-5] GaN成長温度低温化によるFe拡散制御

〇石黒 哲郎¹、山田 敦史¹、小谷 淳二¹、中村 哲一¹ (1.富士通研)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、鉄

ピンチオフ特性改善のためバッファ層にFeをドーピングしたGaN-HEMTにおいては、Feの上方拡散のため所望のデバイス特性を満たす結晶設計が難しいという問題があった。我々はFeの拡散抑制を目的にFe拡散量のGaN成長温度依存性を調査し、アンドープGaN層の成長温度低下に伴い拡散量が減少すること、特に810℃成長時に生じるドープ層界面でのFeの濃縮により拡散が大幅に抑制されることを明らかにした。