[15p-503-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-503-8] m面GaN基板上に形成したNi/n-GaNショットキーダイオードの電気特性

〇山田 永¹、長南 紘志¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、非極性、m面

MOCVDによりm面GaN基板上にアンドープおよび低SiドープGaN層の成長を行い、エピ層中の残留不純物濃度とNi/n-GaNショットキーダイオードの電気特性を評価した。成長温度1120℃、V/III=1000の条件でSIMS分析における残留SiおよびC濃度は検出下限であり十分低かった。SiH4流量を5水準変化させたn-GaNをm面GaN基板上に4um成長し、C-V測定からキャリア濃度を算出した結果、Si濃度とキャリア濃度は線型関係にあることを確認した。I-V測定の逆バイアスによりリーク電流特性を評価した結果、得られたI-Vカーブは熱電界放出モデルにおいて、得られたキャリア濃度とショットキー障壁高さでフィッティングした結果と良く一致した。