[15p-F201-1~10] 13.10 Compound solar cells

△ [15p-F201-1] Growth of Cu₂ZnSn(S,Se)₄ thin films by controlling the group VI vapor pressures

〇(D)Kanta Sugimoto¹, Takuya Ebi¹, Naoki Suyama¹, Kazuyoshi Nakada¹, Akira Yamada¹ (1.Dept. Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Tech.)

Keywords:chalcogenide, solar cell

これまで、本研究室ではVI族元素およびSnの粉末とCu₂ZnSn(S,Se)₄(CZTSSe)膜を容器に同梱してアニール処理を行ってきた。アニール時のVI族蒸気を制御するために任意の時間に石英ロッドを用いてSまたはSe粉末をアニール炉内へ供給する装置を開発した。アニール時にSを添加した場合、CZTSSe膜のS/(S+Se)比がほとんど変化しなかった。一方、Seを添加することによってS/(S+Se)比は0.60から0.51まで低下した。さらに、容器内のSを減少させることでS/(S+Se)比は0.40まで減少した。