[15p-F201-1~10] 13.10 化合物太陽電池

△ [15p-F201-1] VI族蒸気圧制御によるCu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜の作製

〇(D)杉本 寛太¹、江尾 卓也¹、陶山 直樹¹、中田 和吉¹、山田 明¹ (1.東工大工学院)

キーワード：カルコゲナイド、太陽電池

これまで、本研究室ではVI族元素およびSnの粉末とCu₂ZnSn(S,Se)₄(CZTSSe)膜を容器に同梱してアニール処理を行ってきた。アニール時のVI族蒸気を制御するために任意の時間に石英ロッドを用いてSまたはSe粉末をアニール炉内へ供給する装置を開発した。アニール時にSを添加した場合、CZTSSe膜のS/(S+Se)比がほとんど変化しなかった。一方、Seを添加することによってS/(S+Se)比は0.60から0.51まで低下した。さらに、容器内のSを減少させることでS/(S+Se)比は0.40まで減少した。