2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[15p-F203-1~18] 17.1 カーボンナノチューブ,他のナノカーボン材料

2017年3月15日(水) 13:45 〜 18:30 F203 (F203)

本間 芳和(東理大)、橘 勝(横市大)

14:45 〜 15:00

[15p-F203-5] 単層カーボンナノチューブ中のキャリア移動度

清水 誠1、齋藤 健吾1、関 修平2 (1.富士フイルム、2.京大院工)

キーワード:カーボンナノチューブ、マイクロ波伝導、移動度

p-CNT膜を半導体層とする金属-絶縁体-半導体デバイスに対し、半導体層側に負電圧を印加する事で正孔を排出した際の伝導変化を、マイクロ波(9GHz)により計測した。マイクロ波電界による正孔のドリフト長はCNT分子長に比べ桁で小さいため、CNTの分子内伝導を評価可能である。CNT分子は層内でランダム配向している事を考慮し、分子内移動度として11 cm2/Vsが得られた。