[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-12] SiC-p⁺/p^-/n⁺型ダイオードの逆回復時におけるキャリアの掃出しとパルス生成の関係性解析

〇白井 琢毬¹、岩室 憲幸¹、福田 憲司² (1.筑波大学、2.産総研)

キーワード：パワー半導体デバイス、炭化ケイ素、pinダイオード

加速器のコンパクト化に向けた高電圧・高速パルス電源への応用を目指すSiC-pinダイオードについて、研究してきた。本研究は、高電圧かつ高速なパルスを生成するための素子設計指針を明確にすることを目的としている。今回の発表では、以前報告した p⁺/p^-/n⁺ 型ダイオードの逆回復波形から、キャリアの掃出しとパルス生成について、EHP・電位分布から関係性を解析し、シミュレーションによって検証する。