[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-13] SiC-pMOSFETのボディダイオードを用いたSiC-pinダイオードの逆回復特性解析

〇(M1)後藤 大河¹、白井 琢毬¹、岩室 憲幸¹、福田 憲司² (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、ダイオード、逆回復特性

本研究は加速器向け電源等に用いられる、超高電圧(~10 kV)・高速パルス(<5 ns)を生成するためのSiC-pinダイオードの素子設計指針を明確にすることを目的としている。所望の電圧は上記ダイオードの逆回復現象を用いて発生させる。今回は、SiC-pinダイオードの逆回復現象の測定を、本研究室で世界初として試作した縦型SiC-pMOSFETのボディダイオードを用いて行い、先行研究のシミュレーション結果と比較、検討した。