[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-14] 逆バイアス時の熱暴走に対するSiC-SBDの安定性の評価

〇中川 穣¹、森 誠悟¹、南園 悠一郎¹、明田 正俊¹、浅原 浩和¹、中村 孝¹ (1.ローム(株))

キーワード：半導体、炭化珪素