[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-16] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性

〇阿部 裕太¹、岡本 光央²、小野田 忍³、大島 武³、春山 盛善^3,4、加田 渉⁴、花泉 修⁴、小杉 亮治²、原田 信介²、梅田 享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.量研機構、4.群大理工)

キーワード：単一光子源、界面、欠陥

共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡を使った単一光子源（SPS）の研究が盛んに進められている。近年、SiCにおいて室温で発光するSPSが相次いで報告されており、私達もSiC-MOSFETのチャネル領域（SiC/SiO₂界面）においてSPSを発見した。しかし起源に関してはまだ分かっていない。そこで今回はSPSの原子構造につながる情報を得るべく、SPSのPLの偏光角度依存性を調査したところ、偏光角度依存性の異なるSPSを少なくとも3種類確認した。