[15p-F204-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-F204-17] Research on 4H-SiC pMOSFETs with NbNi silicide

〇(M1)Jun Kajihara¹, Shin-Ichiro Kuroki¹, Seiji Ishikawa^1,2, Tomonori Maeda^1,2, Hiroshi Sezaki^1,2, Takamaro Kikkawa¹, Takahiro Makino³, Takeshi Oshima³, Mikael Ostling⁴, Carl-Mikael Zetterling⁴ (1.Hiroshima Univ RNBS., 2.Phenitec Co., 3.QST, 4.KTH)

Keywords:SiC, MOSFET

SiC半導体はバンドギャップが広いという特性から、高温・高放射線などの極限環境でも駆動可能なデバイスとして期待されている。本研究グループでは4H-SiCによるnMOSFETの作製を行い、その動作および高温および高ガンマ線照射後での動作を示した。本研究ではNb/NiシリサイドS/DおよびAlゲート電極を用いた4H-SiC pMOSFETを作製し、その動作評価を行ったので報告する。