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[15p-F205-4] Creation of Vacancies by Ion Implantation and Conversion Efficiency to NV Center
Keywords:NV center, Ion implantation, Diamond
ダイヤモンド中のNVセンターは優れたスピン特性を有し、ナノスケールセンサーや量子通信・コンピューティングへ応用されている。任意の場所にNVセンターを形成できるイオン注入では、窒素だけでなく多量の原子空孔がダイヤモンド中に導入される。原子空孔等が残留するとNVセンターのスピン特性が損なわれる。発表では、イオン注入の要点を述べ、原子空孔がNVセンターへと変換される割合や原子空孔の拡散過程を議論する。