[15p-F205-1~10] ダイヤモンドNV中心への挑戦―量子通信, 量子センサからバイオ応用まで

[15p-F205-4] イオン注入による原子空孔の形成とNVセンターへの変換効率

〇小野田 忍¹、立見 和雅^1,2、春山 盛善^1,2、寺地 徳之³、磯谷 順一⁴、山田 圭介¹、谷井 孝至⁵、川原田 洋⁵、品田 高宏⁶、加田 渉²、花泉 修²、大島 武¹ (1.量研機構、2.群馬大、3.物材機構、4.筑波大、5.早大、6.東北大)

キーワード：NVセンター、イオン注入、ダイヤモンド

ダイヤモンド中のNVセンターは優れたスピン特性を有し、ナノスケールセンサーや量子通信・コンピューティングへ応用されている。任意の場所にNVセンターを形成できるイオン注入では、窒素だけでなく多量の原子空孔がダイヤモンド中に導入される。原子空孔等が残留するとNVセンターのスピン特性が損なわれる。発表では、イオン注入の要点を述べ、原子空孔がNVセンターへと変換される割合や原子空孔の拡散過程を議論する。