[15p-F206-1~14] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [15p-F206-12] 水素挿入・脱離によるWO₃薄膜の熱伝導率制御

〇(D)中村 彩乃¹、小林 竜太¹、原田 俊太¹、田川 美穂¹、宇治原 徹^1,2 (1.名大工、2.産総研)

キーワード：熱伝導率、薄膜、金属絶縁体転位

外部からの制御で高熱伝導率と低熱伝導率を可逆的かつ瞬時に変化させる「熱スイッチ材料」の開発を試みている。WO₃は電気化学反応により水素を挿入することでH_xWO₃になり、一定の水素量を超えると金属絶縁体転位が生じる。そこで、WO₃薄膜への水素挿入による熱伝導率を調べたところ、水素量x=0.34前後で熱伝導率が急激に上昇した。これは、金属絶縁体転位が生じる水素量と非常に近い。また、H_xWO₃薄膜の熱伝導率の可逆性についても報告する。