2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[15p-F206-1~14] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2017年3月15日(水) 13:45 〜 18:00 F206 (F206)

中村 芳明(阪大)、山本 貴博(東理大)、山口 浩司(NTT物性研)

16:15 〜 16:30

[15p-F206-9] MnSi1.7とSiGeの複合構造薄膜における熱伝導率のGe量依存性

黒崎 洋輔1、籔内 真1、西出 聡悟1、早川 純1 (1.日立研開)

キーワード:熱伝導率、マンガンシリサイド

有望な熱電変換材料の一つであるMnSi1.7の熱伝導率を低減することを目的に、SiGeとのナノ複合構造化による熱伝導率低減を試みた。作製した複合構造薄膜の構造解析により、Geは母材料のMnSi1.7ではなく添加材料であるSiに添加されることを明らかにした。Ge量を増加させると薄膜の熱伝導率は、ナノスケールのフォノン散乱と音速の低下によりMnSi1.7系で最小である0.8W/Kmまで低下した。