[15p-MH-1~7] インフォマティクスがもたらす結晶成長プロセスの革新

[15p-MH-3] インシリコスクリーニングによる新規窒化物半導体の発見

〇大場 史康^1,2 (1.東工大フロンティア研／元素戦略研究センター、2.物材機構MI2I)

キーワード：第一原理計算、窒化物半導体

新物質の探索を目的としてスクリーニングを行う際、多くの機能が格子欠陥に由来することを踏まえ、基礎物性のみならず、格子欠陥を精確に評価することが重要となる。本講演では、我々が開発を進めている半導体の基礎物性・格子欠陥特性の高精度理論予測手法を概説するとともに、新しい窒化物半導体の探索への応用例を紹介する。