[15p-P12-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-P12-3] 第一原理計算によるHfO­­­₂/SiO₂/Si界面における酸素空孔欠陥に起因したリーク電流の評価

〇(M1)高木 謙介¹、小野 倫也^1,2 (1.筑波大数理物質科学、2.筑波大計算科学研究セ)

キーワード：半導体、第一原理、high-k MOSFET