[15p-P14-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[15p-P14-5] 超臨界流体反応場中における酸化ハフニウム薄膜の化学的堆積

〇川島 広明¹、内田 寛¹ (1.上智大)

キーワード：酸化ハフニウム、超臨界流体堆積、薄膜

酸化ハフニウム(HfO₂)薄膜は、電界効果型トランジスタ用high-kゲート絶縁膜や新規強誘電体キャパシタ材料など、近年の集積回路製造における様々な応用が幅広く検討されている。それらの薄膜材料を形成するための薄膜堆積プロセスには半導体や電極材料への熱ダメージを回避するための低温成膜や三次元回路の実現を念頭に置いた段差被覆能などの特性が要求され、CVDやALDなど様々な手法による材料合成が主に推し進められている。本発表では、超臨界二酸化炭素(scCO₂)の拡散性･含浸性および金属アルコキシドや錯体に対する分解促進の特徴を利用した薄膜堆積手法、すなわち超臨界流体堆積法(Supercritical fluid deposition: SCFD)によるHfO₂薄膜の堆積を実施した結果を報告する。