The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Poster presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[15p-P15-1~17] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

Wed. Mar 15, 2017 4:00 PM - 6:00 PM P15 (BP)

4:00 PM - 6:00 PM

[15p-P15-12] High-speed Operation of ReRAM Write Voltage Generator Using 0.6 V Supply Voltage
for Hybrid Solid-State Drive

Kenta Suzuki1, Kota Tsurumi1, Masahiro Tanaka1, Ken Takeuchi1 (1.Chuo Univ.)

Keywords:boost converter, ReRAM, Hybrid SSD

従来のNANDフラッシュメモリのみのソリッド・ステート・ドライブ(SSD)に抵抗変化型メモリ(ReRAM)を組み合わせたハイブリッドSSDが提案されている。また、ReRAMの書き込み電圧は3.0 Vであるが、プロセスの微細化によりSSDコントローラの電源電圧が低電圧化されため、0.6 Vで動作する昇圧回路が求められる。本論文では、0.6 V動作ReRAM書き込み電圧生成回路の高速化の検討を行う。