[15p-P15-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-P15-12] ハイブリッドSSD向け0.6V動作抵抗変化型メモリの書き込み電圧生成回路の高速化

〇鈴木 健太¹、鶴見 洸太¹、田中 誠大¹、竹内 健¹ (1.中大理工)

キーワード：ブーストコンバータ、抵抗変化型メモリ、ハイブリッドSSD

従来のNANDフラッシュメモリのみのソリッド・ステート・ドライブ(SSD)に抵抗変化型メモリ(ReRAM)を組み合わせたハイブリッドSSDが提案されている。また、ReRAMの書き込み電圧は3.0 Vであるが、プロセスの微細化によりSSDコントローラの電源電圧が低電圧化されため、0.6 Vで動作する昇圧回路が求められる。本論文では、0.6 V動作ReRAM書き込み電圧生成回路の高速化の検討を行う。