[15p-P15-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-P15-15] スパッタエピタキシー法で形成した埋め込みSiGeチャネルp-MOSFET

〇八木 拓馬¹、塚本 貴広¹、広瀬 信光²、小嶋 崇文³、笠松 章史²、松井 敏明²、鵜澤 佳徳²、須田 良幸¹ (1.東京農工大学　院工、2.情報通信研究機構、3.国立天文台)

キーワード：SiGe、スパッタエピタキシー