[15p-P15-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-P15-17] FinFETデバイスにおける放射線誘起電荷の収集過程解析

〇安部 晋一郎¹、佐藤 達彦¹、加藤 貴志²、松山 英也² (1.原子力機構、2.ソシオネクスト)

キーワード：放射線、半導体デバイス、ソフトエラー

放射線が半導体デバイス内に誘起した電荷により、電子機器の一時的な誤動作（ソフトエラー）が生じる。ソフトエラー発生率を評価する際、収集電荷量を迅速かつ精度良く計算するモデルが必要となる。FinFETは、従来主流であったPlanar型素子と構造が異なるため、電荷収集の物理過程も従来と異なることが予想される。そこで本研究では、FinFETに関する収集電荷量概算モデルの構築を目的とし、放射線誘起電荷の収集過程の系統的調査を実施した。