[15p-P16-1~8] 13.10 化合物太陽電池

[15p-P16-7] 電気化学堆積法によるCu₂O/InPヘテロ界面の形成(3)

〇近江 沙也夏¹、熊崎 祐介¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター)

キーワード：酸化銅、太陽電池、InP ヘテロ界面

これまでに、電気化学的手法で形成されるn型InP多孔質構造の内壁にPt薄膜を形成し、大きな受光面積をもつショットキー型光電変換素子を実現した。本研究では、より界面電位差の大きいヘテロ接合型太陽電池への展開を目的とし、n型InP多孔質構造の内壁にCu₂O膜の電気化学堆積を行った。