[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-10] 多層構造抵抗変化型メモリにおける抵抗スイッチング特性の改善

〇落合 克行¹、河野 公紀¹、木下 健太郎^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

キーワード：抵抗変化型メモリ、多層構造、金属酸化物