2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月15日(水) 13:30 〜 15:30 P3 (展示ホールＢ)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-11] NiOナノワイヤーを用いた抵抗変化メモリの作製

〇(M1)青野 孝重1、渡辺 忠孝2、高野 良紀2、高瀬 浩一2 (1.日大院理工、2.日大理工)

キーワード：ナノワイヤー、抵抗変化メモリ