[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-14] サファイア基板上へのVO₂薄膜のエピタキシャル成長

〇楠森 毅¹、中尾 節男¹ (1.産総研)

キーワード：酸化バナジウム、レーザー蒸着、エピタキシー

VO2は相転移に伴う大きな潜熱を持つことや、金属－絶縁体転移を示すことから新たなデバイスへの展開が期待されている。薄膜は素子化の主要な形態の1つであり、サファイアはそのエピタキシャル薄膜を作製する上での重要な基板材料の1つである。今回はサファイア単結晶のc面、a面およびr面上にVO2の薄膜を作製し、その結晶性について調べたので報告する。