[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-2] 原子層堆積法によるBiFeO₃薄膜の成長

〇(M1C)平林 三寛¹、中村 葵¹、査 尚豪¹、下迫 直樹¹、坂間 弘¹ (1.上智大理工)

キーワード：ビスマスフェライト、原子層堆積法、薄膜

BiFeO₃(BFO)は室温で強誘電性を示し、毒性が少ないため、有毒なPb(Zr,Ti)O₃(PZT)に代わる強誘電体メモリ材料として期待されている。本研究では、均質性に富み、欠陥の少ない薄膜が得られる原子層堆積法(ALD)を用いてSrTiO₃(100)(STO)基板上にBFO薄膜の作製を試みた。結果として、主にBFO(100)がSTO(100)上に選択的に成長することがわかった。