[15p-P3-1~26] 6.3 Oxide electronics

[15p-P3-5] Production of LaMnO₃thin films by Metal Organic Deposition (MOD) method and their electrical- and magneto-conduction properties

〇Toru Kitamura¹, Miku Yumoto¹, Hiromi Kobori¹, Atsushi Yamasaki¹, Toshifumi Taniguchi², Tetsuo Shimizu³ (1.Konan Univ., 2.Osaka Univ., 3.NRI-AIST)

Keywords:LaMnO3, metal organic deposition method, conduction property

LaMnO₃(LMO)単結晶は、ペロブスカイト構造をもつ反強磁性絶縁体であるが、SrをドープしたLa_1-xSr_xMnO₃(LSMO)は、x = 0.16以上では低温域で強磁性金属となる。強磁性金属相で見られる巨大磁気抵抗効果を利用した高感度磁気抵抗センサーなどの電子デバイスの可能性が示唆されている。LMO多結晶体に関しては、熱処理条件によりSrをドープしなくても、ホール・セルフドープの効果により強磁性金属にすることが可能である。本研究では、作製が比較的容易な有機金属熱分解（MOD）法を用いてLMO多結晶薄膜を作製し、その電気および磁気伝導特性を調べた。