[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-7] p-Cu₂O/SiN_x/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード

〇素村 晃浩¹、塚本 貴広¹、加藤 格²、雑賀 章浩²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

キーワード：抵抗変化型不揮発性メモリ