[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-9] SiC_xO_yおよびSiO_x電子捕獲層を用いた不揮発性pnメモリダイオードの特性制御

〇土屋 充沙¹、塚本 貴広¹、加藤 格²、雑賀 章浩²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

キーワード：抵抗変化型メモリ、クロスポイント