2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

[15p-P6-1~2] 15.1 バルク結晶成長

2017年3月15日(水) 13:30 〜 15:30 P6 (展示ホールB)

13:30 〜 15:30

[15p-P6-2] TSFZ法によるMg添加β-Ga2O3単結晶の育成

〇(M1C)福留 大貴1、長尾 雅則1、綿打 敏司1、田中 功1 (1.山梨大)

キーワード:酸化ガリウム、帯域溶融法

良質なp型β-Ga2O3単結晶育成に成功した例がほとんどない。そこでMgをアクセプタ不純物としてドープすることでp型β-Ga2O3単結晶の育成を試みた。本研究ではFloating Zone(FZ)法に着目し、Mgを含有した溶媒を用いたTraveling Solvent Floating Zone(TSFZ)法によるMg添加β-Ga2O3単結晶の育成および評価を行った。