[15p-P7-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-P7-2] 硬X線光電子分光法（HAXPES）によるゲルマニウムスズ薄膜の深さ方向化学結合状態評価（II）

〇臼田 宏治¹、高石 理一郎¹、吉木 昌彦¹、須田 耕平²、小椋 厚志²、富田 充裕¹ (1.東芝研開センター、2.明治大学)

キーワード：GeSn、放射光、硬X線光電子分光法

GeSn結晶は、Siに代わる高移動度チャネルやバンド構造変調による光学素子材料として期待されるが、Snの固溶限界は１atomic％オーダと低く、表面偏析を抑えた高品質GeSn薄膜の実現が重要である。前回、硬X線光電子分光法で、GeSn薄膜最表面の偏析層とその直下のGeSn薄膜の一括深さ方向化学結合状態評価が可能である事を示した。本報告では、析出の直接確認と膜質改善試料の評価結果を報告する。