[15p-P7-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-P7-3] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-１

〇(M1)滝田 健介¹、対馬 和都¹、遠田 義晴¹、俵 毅彦²、舘野 功太²、章 国強²、後藤 秀樹²、池田 高之³、水野 誠一郎³、岡本 浩¹ (1.弘前大理工、2.NTT物性基礎研、3.NTTアドバンステクノロジ)

キーワード：ゲルマニウム、ナノドット、ビスマス

熱酸化膜付きSi基板上に、真空蒸着と低温アニールにより、Biを媒介した結晶Geナノドットの形成を試みた。その結果、STEM観察により、Biをほとんど含まない結晶Geナノドットが形成されたことが確認された。AES分析からも400℃のアニールによりBiの信号がほぼ消滅していることが確認された。BiとGeが混合したアモルファスの初期ドットからアニールによってBiが排出され昇華する過程においてGeの結晶ナノドットが形成されたと考えられる。