[15p-P7-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-P7-4] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-2

〇(B)対馬 和都¹、滝田 健介¹、中澤 日出樹¹、遠田 義晴¹、俵 毅彦²、舘野 功太²、章 国強²、後藤 秀樹²、岡本 浩¹ (1.弘前大理工、2.NTT物性基礎研)

キーワード：ナノドット、ゲルマニウム、ビスマス

前報において、真空蒸着と２段階の低温アニールにより、Biを媒介した結晶Geナノドットの形成に成功したことを述べたが、それぞれの段階におけるアニールの効果等が明らかになっていなかった。本報告では300℃アニール中のその場AFM観察を行うとともに、アニール前後の試料についてAES分析を行った。その結果、上記ナノドット形成においてアニール効果は 300℃程度から発現することを明らかにした。