[15p-P8-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-P8-9] ZnOバルク単結晶へのガンマ線照射効果：低抵抗化の起源

〇(B)田代 惇也¹、取田 祐樹¹、栗山 一男¹、串田 一雅²、徐 虬³、木野村 淳³ (1.法大理、2.大教大、3.京大原実所)

キーワード：ZnO、ガンマ線、低抵抗

フォトルミネッセンス測定において、ガンマ線照射後のZnOは未照射ZnOよりも、グリーンルミネッセンスのピークの強度が約14 %増加していることが観測された。また、van der Pauw法より、抵抗率は未照射ZnOが4.08×104 Ωcm、ガンマ線照射後のZnOは3.05×102 Ωcmと測定され、ガンマ線照射後のZnOの抵抗率は照射前よりも2桁減少した。