[16a-213-1~7] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [16a-213-1] Analysis of electronic states and the structures of amorphous silicon through first-principles calculations

〇Yoritaka Furukawa¹, Yu-ichiro Matsushita¹, Atsushi Oshiyama¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:amorphous, first-principles calculation

密度汎関数法に基づた分子動力学および電子状態計算により，アモルファスシリコン(a-Si)のモデルを複数生成し，それらの構造と電子状態について詳細な解析を行った．本講演では，生成された各モデルの構造について実験値との比較，内在する欠陥の種類についての考察．水素終端による欠陥の解消の効果，電子状態密度とa-Siの無秩序性の関連について述べる．