[16a-213-1~7] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [16a-213-1] 第一原理計算によるアモルファスシリコンの電子状態と構造の解析

〇古川 頼誉¹、松下 雄一郎¹、押山 淳¹ (1.東大工)

キーワード：アモルファス、第一原理計算

密度汎関数法に基づた分子動力学および電子状態計算により，アモルファスシリコン(a-Si)のモデルを複数生成し，それらの構造と電子状態について詳細な解析を行った．本講演では，生成された各モデルの構造について実験値との比較，内在する欠陥の種類についての考察．水素終端による欠陥の解消の効果，電子状態密度とa-Siの無秩序性の関連について述べる．