[16a-213-1~7] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[16a-213-6] An amorphous-to-crystalline phase transition simulation for GeTe layers in GeTe/Sb₂Te₃ superlattices
on the basis of first principles molecular dynamics

〇(DC)Hiroki Shirakawa^1,3, Masaaki Araidai^1,2,3, Kenji Shiraishi^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.JST-CREST)

Keywords:phase change memory, GeTe/Sb2Te3, first-principles calculation

ストレージクラスメモリの有望な候補に超格子GeTe/Sb₂Te₃を用いた相変化メモリ(iPCRAM)がある。本研究では非晶質GeTe層を持つGeTe/ Sb₂Te₃を第一原理分子動力学計算を用いて1000Kから速い速度（85K/ピコ秒）と遅い速度(2.78 K/ピコ秒)で冷却し、両者の比較を行った。その結果、遅い速度で冷却した場合、GeTe層が結晶化することが分かった。