[16a-302-1~11] 12.4 有機EL・トランジスタ

[16a-302-7] 蓄積電荷法による金属/ペンタセン界面の電荷注入障壁の測定

〇(M1)大塚 理人¹、角屋 智史¹、荻野 晃成¹、佐藤 井一¹、横松 得滋²、前中 一介²、山田 順一¹、田島 裕之¹ (1.兵庫県大物質理、2.兵庫県大工)

キーワード：電荷注入障壁、有機半導体デバイス、ペンタセン

金属から有機半導体への電荷注入障壁は、デバイス性能を律速する重要な要因である。我々は最近、蓄積電荷法(ACM)によって電荷注入障壁を求める手法を報告した。ACMは、MIS型試料に三角波電圧を印加し、有機半導体内部の蓄積電荷を観測する方法である。この手法では薄膜中のキャリアトラップや不純物、界面分極等の影響をすべて含んだ状態で測定出来る。本発表では、ペンタセン・金属界面の注入障壁をACMによって評価した。